YARIİLETKEN ELEMANLARIN VE DÜZENLERİN MODELLENMESİ
2002-2003 Ders Yılı
Prof. Dr. H. Hakan Kuntman
 
Yer: Mustafa Santur Seminer Odası
Gün: Çarşamba, 10:00-13:00
 
Dersin İçeriği:
 
Modelleme kavramı. Eleman Modelleri: Diyot Modelleri. Bipolar Tranzistor
modelleri: EM (Ebers- Moll) 1 modeli, EM2 modeli, EM3 modeli,
Gummel-Poon modeli, SPICE Gummel-Poon modeli, Geliştirilmiş EM modeli. JFET Modelleri: SPICE JFET modeli,
yüksek doğruluklu JFET modeli.  MOSFET Modelleri: SPICE 1. düzey, 2.
düzey, 3. düzey, 4. düzey MOS modelleri. Yüksek doğruluklu MOSFET modeli. Makromodeller: İşlemsel
kuvvetlendirici, Gerilim karşılaştırıcı, OTA, Akım taşıyıcı, analog çarpma
devresi makromodelleri. Güç Elektroniği
Elemanlarının Modellenmesi. Model parametrelerinin Ölçülmesi.
 
Yararlanılacak Kaynaklar:
 
| 
   [1]  | 
  
   H. Kuntman, Elektronik Elemanların Modellenmesi,  İTÜ Kütüphanesi, 1998.  | 
 
| 
   [2]  | 
  
   H. Kuntman, Elektronik Elemanların Modellenmesi, Ders
  Notları.  | 
 
| 
   [3]  | 
  
   H. H. Kuntman, Analog tümdevre tasarımı, Birsen
  Yayınevi, İstanbul, 1998.  | 
 
| 
   [4]  | 
  
   H. H. Kuntman, Analog tümdevre tasarımı, Sistem
  yayınları, İstanbul, 1992.  | 
 
| 
   [5]  | 
  
   H. H. Kuntman, A. Toker, S. Özcan, Sayısal Elektronik
  Devreleri, Sistem Yayınları, 1997.  | 
 
| 
   [6]  | 
  
   H. Hakan Kuntman, Analog MOS Tümdevre Tekniği, İTÜ Kütüphanesi,
  Sayı: 1587, 1997.   | 
 
| 
   [7]  | 
  
   D. P. Foty, MOSFET modeling with SPICE Principles and
  Practice, Prentice Hall, 1997.  | 
 
| 
   [8]  | 
  
   P. Antognetti, G. Massobrio, Semiconductor device
  modeling with SPICE, Mc Graw Hill, 1988.  | 
 
| 
   [9]  | 
  
   I.E. Getreu, Modeling the bipolar transistor, Tektronix
  Inc. Beaverton, Oregon, 1976.  | 
 
| 
   [10]  | 
  
   P.R. Gray, R.G. Meyer, Analysis and design of analog
  integrated circuits, John Wiley, 1993.  | 
 
| 
   [11]  | 
  
   H.
  Kuntman, Simple and accurate nonlinear OTA macromodel for simulation of OTA-C
  active filters, Int. J. Electronics, 
  1994.  | 
 
| 
   [12]  | 
  
   B. Yenen, N. Tarım, H. Kuntman, Aktif süzgeç
  simülasyonuna yönelik bir akım taşıyıcı makromodeli, Elektrik Müh. 6. Ulusal
  Kongresi Bildiri Kitabı,  Cilt 3,
  1023-1026, Uludağ Üniversitesi, 
  Bursa, 11-17 Eylül 1995.   | 
 
| 
   [13]  | 
  
   N. Tarım, B. Yenen and H. Kuntman, Simple and accurate
  nonlinear current-conveyor macromodel, 
  Melecon 96, Proceedings of 8th Mediterranean Electrotechnical
  Conference, Vol.1,  pp.447-450, Bari, Italy,
  May 13-16, 1996.  | 
 
| 
   [14]  | 
  
   N. Tarım, B. Yenen and H. Kuntman, Simple and accurate
  nonlinear current-conveyor macromodel for simulation of active filters using CCIIs , (accepted for publication)
  Int. Journal of Circuit Theory and Applications, , 1997.  | 
 
| 
   [15]  | 
  
   H. Kuntman, Modified Ebers-Moll model, Electron.
  Lett.,18, pp.293-294, 1982.  | 
 
| 
   [16]  | 
  
   H. Kuntman, SPICE simülasyonuna yönelik yeni bir analog
  çarpma devresi makromodeli, Elektrik Elektronik ve Bilgisayar Mühendisliği 7.
  Ulusal Kongresi Bildiri Kitabı, 1, s., ODTÜ, Ankara, Eylül 1997.  | 
 
| 
   [17]  | 
  
   H. Kuntman, Novel modification on SPICE BJT model to
  obtain extended accuracy, IEE-Proc. Pt.G, 138, pp.673-678, 1991.   | 
 
| 
   [18]  | 
  
   H. Kuntman, V. Kaynar, New algorithm for computer-aided
  extraction of SPICE static and dynamic BJT model parameters from dc
  measurement data, Proc. of. ICM 94, International Conference on
  Microelectronics,  pp. 26-29,
  Istanbul, 1994.  | 
 
| 
   [19]  | 
  
   H. Kuntman, Improved representation of channel-length
  modulation in junction field-effect transistors, Int. J. Electronics, 75,
  pp.57-64, 1993.  | 
 
| 
   [20]  | 
  
   H. Kuntman, S. Özcan, Extraction of SPICE BJT dynamic model
  parameters from dc measurement data, Int. J. Electronics, 74, 541-551, 1993  | 
 
| 
   [21]  | 
  
   E.I. Tekdemir, H. Kuntman, Implementation of a novel
  BJT model into SPICE simulation program to obtain extended accuracy, Int. J.
  Electronics, 75, pp. 1185-1199, 1993.  | 
 
| 
   [22]  | 
  
   A. Zeki, H. Kuntman, New MOSFET model suitable for
  analogue IC analysis, Int. J. Electronics, 78, pp. 247-260, 1995.  | 
 
| 
      | 
  
      | 
 
| 
      | 
  
      | 
 
Yıliçi Çalışmaları:
 
Yıliçi çalışmaları 1 yıliçi sınavı, 1 seminer ödevi ve 5 ödevden oluşacaktır.
 
 
Ödevler:
 
Yarıyıl boyunca her öğrenciye beş ödev verilecektir. Bu ödevlerin bir kısmı
çeşitli elektronik elemanların modelleri için 
parametre ölçülmesine yönelik uygulamalı ödevler olacaktır. Öğrenciler, ödevin
gerektirdiği çalışmaları (ölçümleri, gerekli olan hesapları vb) kendi başlarına
yapacaklar, yapılan çalışmaları, ölçümleri, simülasyonları ve bunların yorumunu
içeren ayrıntılı bir raporu belirtilen sürenin sonunda teslim edeceklerdir.
 
Başarının belirlenmesi:
 
Yıliçi Sınavı: %25
Seminer Ödevi: %15
Ödevler: % 10
----------------------------------
Toplam Yıliçi katkısı: %50
Yılsonu Sınavı:               %50