ELE512
İLERİ ANALOG
TÜMDEVRE TASARIMI
Yüksek
Lisans, 2006-2007 Eğitim-Öğretim Yılı, Bahar Yarıyılı
Öğretim üyesi : Prof. Dr. H. Hakan Kuntman
Dersin içeriği :
Analog MOS tümdevre
tekniği Analog tümdevrelerde MOS teknolojisinin yeri, MOS tranzistoru karakterize
eden temel bağıntılar.
Temel yapıtaşları: Diyot bağlı NMOS
tranzistor, NMOS akım aynaları, kuvvetlendirici yapıları, Referans gerilimi
üreteçleri.
MOS işlemsel
kuvvetlendiriciler: CMOS işlemsel kuvvetlendirici, CMOS işlemsel
kuvvetlendiricilerde dengesizlik, frekans kompanzasyonu, yükselme eğimi,
gürültü. Yüksek performanslı işlemsel kuvvetlendiriciler.
CMOS geçiş iletkenliği
kuvvetlendiricisi, OTA: CMOS OTA tasarımı, basit OTA yapısı, Miller OTA, simetrik
CMOS OTA yapısı, DOTA (çift çıkışlı OTA) yapısı, yüksek başarımlı OTA yapıları.
CMOS akım taşıyıcı: CMOS CCII+ devresi,
negatif akım taşıyıcı (CCII-). Akım taşıyıcının başarımı. ECCII (Elektronik
olarak kontrol edilebilen akım taşıyıcı) DDCC (Farksal fark akım taşıyıcı) ve
DVCC (Farksal gerilim akım taşıyıcı) yapıları. Akım taşıyıcılarda ideal olmama
etkilerinin modellenmesi.
MOS analog çarpma
devreleri: CMOS çarpma devreleri, basit çarpma devresi, MOS Gilbert hücresi, CMOS dört
bölgeli analog çarpma devresi.
MOS osilatör
devreleri: s-C osilatörleri, MOS dolup-boşalmalı osilatörler, CMOS OTA-C osilatörler,
akım taşıyıcı RC osilatörleri.
Analog işaret işleme: s-C süzgeçleri, CMOS
OTA-C aktif süzgeçleri, akım taşıyıcı ile gerçekleştirilen aktif süzgeç
yapıları.
Eşikaltı bölgesinde
çalışan analog yapı blokları: Eşikaltı MOS modeli bağıntıları, eşikaltı bölgesinde
çalıştırılan akım referansı devreleri, fark kuvvetlendiricisi, eşikaltında
çalışan MOS tranzistorlarla kurulan analog çarpma devreleri, düşük güç
tüketimli işlemsel kuvvetlendiriciler.
Yararlanılacak Kaynaklar
Ders projeksiyon cihazı yardımıyla kaynak kitaptan
yararlanılarak yürütülecektir. Kaynaklar listesinde ilk sırada yer alan kitabın
öğrencilerin elinde bulunması, dersin kolayca izlenebilmesi açısından yararlı
olacaktır.
Yıliçi Çalışmaları:
Yıliçi çalışmaları 1 yıliçi sınavı, 1 seminer ödevi ve 4
ödevden oluşacaktır.
Ödevler:
Yarıyıl boyunca her öğrenciye DÖRT tasarım ve devre benzetimi ödevi
verilecektir. Bu DÖRT ödevden alınacak notlar %20 oranında yıliçi notuna etki
edecektir. Öğrenciler, gereken tasarımları, hesapları ve benzetimleri kendi
başlarına yapacaklar, yapılan tasarımları, hesapları, benzetimleri ve bunların
yorumunu içeren ayrıntılı bir raporu belirtilen sürenin sonunda teslim
edeceklerdir. Bu ödevlerin hazırlanabilmesi için
öğrencilerin SPICE benzetim programını kullanmayı bilmeleri veya öğrenmeleri
gerekmektedir.
Seminer:
Her öğrenciye güncel çalışmalardan, genellikle yeni yayınlanmış makale ve
bildirilerden seçilecek seminer konuları verilecek, öğrenci aldığı konuyu
ilgili kaynaklardan yararlanarak ayrıntılı bir biçimde araştıracak, elde ettiği
bulguları bir rapor halinde hazırlayacak ve teslim edecek, kendisine ayrılan
gün ve saatte sınıfa anlatacaktır. Programı daha sonra duyurulacak olan
seminerler yarıyılın bitimine bir ay kala başlayacak ve yarıyıl sonuna kadar
sürecektir.
Yılsonu sınavı (projesi):
Yılsonu projesi olarak öğrencilere derste ele alınmış güncel konularda bir
devre tasarımı ve benzetimi projesi verilecektir. Öğrenciler, yıliçi
ödevlerindekine benzer biçimde, gereken tasarımları, hesapları ve
benzetimleri kendi başlarına yapacaklar, yapılan tasarımları, hesapları,
benzetimleri ve bunların yorumunu içeren ayrıntılı bir raporu belirtilen
sürenin sonunda teslim edeceklerdir.
Başarının belirlenmesi:
Yıliçi çalışmalarının ve yılsonu sınavının başarıya katkısı:
Yıliçi sınavı (%15)
Seminer ödevi (%15)
Ödevler (%20)
________________________________
Toplam Yıliçi katkısı (%50)
Yılsonu sınavı projesi : (%50)