|
DERSİN ADI: |
Elektroniğe Giriş |
|
DERSİN İNGİLİZCE ADI: |
Introduction to Electronics |
|
OKUTULDUĞU BİRİM: |
Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BLG Programı Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği
Bölümü Elektrik Mühendisliği Bölümü |
|
KOD NUMARASI: |
ELE 222 (Türkçe), ELE 222E (English) |
|
DERS SAATİ/HAFTA: |
3 |
|
VARSA ALMAK İÇİN ÖN KOŞUL: |
Resmi olarak ne yazık ki YOK, ancak Elektrik/Elektronik bilgisi içeren
FIZ102(E) gibi bir temel Fizik dersi veya ELE211(E) dersini almış ve her ikisinden de
en az DD ile geçmiş olmak dersi kaybolmadan izlemek açısından
ÇOK önemli ve gerekli... |
|
DERSİ VEREN(LER): |
EHMB
(Elektronik Ana Bilim Dalı) öğretim üyeleri |
|
DERSİN DİLİ: |
Türkçe (3 yy); Türkçe ve İngilizce (4 yy) |
|
DERSİN TÜRÜ: |
Zorunlu Temel Mühendislik |
|
GEREKÇESİ: Elektrik-Elektronik
Fakültesi öğrencileri için planlanan Elektroniğe Giriş
dersiyle yarıiletken elektroniğinin temellerinin verilmesi ve
yarıiletken öğelerle gerçekleştirilen temel elektronik
devrelerin tanıtılması amaçlanmıştır.
Elektronik elemanların davranışları, uç büyüklükleri
ilişkileri ve modelleri, yarıiletken elemanların
kutuplanmaları, bu elemanlarla gerçekleştirilen temel analog ve
sayısal devreler de bu dersin kapsamı içindedir. |
|
|
TÜRKÇE İÇERİK: Giriş; elemanlar ve temel devreler:
işlemsel kuvvetlendiriciler; tanımlar ve uygulama örnekleri.
Diyotlar: ideal diyot, jonksiyonlu diyotun uç karakteristikleri, diyotlu
devrelerin analizi, yarıiletkenlerle ilgili kavramlar ve jonksiyonlu
diyotun fiziksel yapısı. Bipolar Jonksiyonlu Tranzistor (BJT):
fiziksel yapı ve çalışma rejimleri, DC kutuplama,
kuvvetlendirici olarak BJT, küçük işaret eşdeğer devresi,
temel kuvvetlendirici yapıları, anahtar olarak çalışma.
MOSFET: yapısı ve çalışma türleri, kuvvetlendirici olarak
MOSFET, MESFET. |
|
|
İNGİLİZCE İÇERİK: Introduction; Components and basic circuits:
operational amplifiers, concepts and application examples. Diodes: ideal
diode, terminal characteristics of the junction diode, analysis of diode
circuits, semiconductor physics principles, structure of the junction diode.
Bipolar junction transistor (BJT): physical structure and operating modes, DC
biasing, BJT as an amplifier, small-signal model, basic amplifier circuits,
BJT as a switch. MOSFET: structure and operating modes, MOSFET amplifiers.
MESFET. |
|
|
KAYNAKLAR: 1. Microelectronic Circuits,
5th ed., A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford University Press, 2003.
ISBN: 0-19-514252-7. 2. Dersler/Courses, İnci Çilesiz, http://www.ehb.itu.edu.tr/~cilesiz/courses
3. Elektronik Elemanları, D. Leblebici, SEÇ
Yayın Dağıtım, Istanbul, 2001. ISBN: 975-7670-32-4. 4. Electronics Circuit Analysis
and Design, 2nd ed. D.A. Neamen, McGraw-Hill Education, 2001. ISBN: 0072451947. 5. Microelectronic
Circuits and Devices, 2nd ed., M.N. Horenstein, Prentice-Hall,
Englewood Cliffs, 1996. ISBN: 0-13-701335-3. 6. Electronic
Design, 4th ed., M.S. Roden, G.
Carpenter, W. Wieserman, Discovery Press, 2002. ISBN 0-9646969-8-3. 7. Elektronik, M. Sait Türköz, Birsen Yayınevi, 2004, ISBN:
975-511-198-0; |
|