ELE512
İLERİ ANALOG TÜMDEVRE
TASARIMI
Yüksek Lisans,
2008-2009 Eğitim-Öğretim Yılı, Bahar Yarıyılı
Öğretim üyesi : Prof. Dr. H. Hakan Kuntman
Dersin içeriği :
Analog
MOS tümdevre tekniği Analog
tümdevrelerde MOS teknolojisinin yeri, MOS tranzistoru karakterize eden temel
bağıntılar.
Temel
yapıtaşları: Diyot bağlı
NMOS tranzistor, NMOS akım aynaları, kuvvetlendirici yapıları, Referans
gerilimi üreteçleri. Aktif dirençler.
MOS
işlemsel kuvvetlendiriciler: CMOS
işlemsel kuvvetlendirici, CMOS işlemsel kuvvetlendiricilerde dengesizlik,
frekans kompanzasyonu, yükselme eğimi, gürültü. Yüksek performanslı işlemsel
kuvvetlendiriciler.
CMOS
geçiş iletkenliği kuvvetlendiricisi, OTA: CMOS OTA tasarımı, basit OTA yapısı, Miller OTA, simetrik
CMOS OTA yapısı, DOTA (çift çıkışlı OTA) yapısı, yüksek başarımlı OTA yapıları.
CMOS
akım taşıyıcı: CMOS
CCII+ devresi, negatif akım taşıyıcı (CCII-). Akım taşıyıcının başarımı. Akım
taşıyıcı türevleri: ECCII (Elektronik olarak kontrol edilebilen akım taşıyıcı)
DDCC (Farksal fark akım taşıyıcı) ve DVCC (Farksal gerilim akım taşıyıcı),
FDCCII (tümüyle farksal akım taşıyıcı) vb devre yapıları. Akım taşıyıcılarda
ideal olmama etkilerinin modellenmesi.
MOS
analog çarpma devreleri: CMOS
çarpma devreleri, basit çarpma devresi, MOS Gilbert hücresi, CMOS dört bölgeli
analog çarpma devresi.
MOS
osilatör devreleri: s-C
osilatörleri, MOS dolup-boşalmalı osilatörler, CMOS OTA-C osilatörler, akım
taşıyıcı RC osilatörleri.
Analog
işaret işleme: s-C
süzgeçleri, CMOS OTA-C aktif süzgeçleri, akım taşıyıcı ile gerçekleştirilen
aktif süzgeç yapıları.
Eşikaltı
bölgesinde çalışan analog yapı blokları: Eşikaltı MOS modeli bağıntıları, eşikaltı bölgesinde
çalıştırılan akım referansı devreleri, fark kuvvetlendiricisi, eşikaltında
çalışan MOS tranzistorlarla kurulan analog çarpma devreleri, düşük güç
tüketimli işlemsel kuvvetlendiriciler.
Yararlanılacak Kaynaklar
Ders projeksiyon cihazı yardımıyla kaynak kitaptan yararlanılarak
yürütülecektir. Kaynaklar listesinde ilk sırada yer alan kitabın öğrencilerin
elinde bulunması, dersin kolayca izlenebilmesi açısından yararlı olacaktır.
Yıliçi Çalışmaları:
Yıliçi çalışmaları
1 yıliçi sınavı, 1 seminer ödevi ve 4 ödevden oluşacaktır.
Ödevler:
Yarıyıl boyunca her öğrenciye DÖRT tasarım ve
devre benzetimi ödevi verilecektir. Bu DÖRT ödevden alınacak notlar %20
oranında yıliçi notuna etki edecektir. Öğrenciler, gereken tasarımları,
hesapları ve benzetimleri kendi başlarına yapacaklar, yapılan tasarımları,
hesapları, benzetimleri ve bunların yorumunu içeren ayrıntılı bir raporu
belirtilen sürenin sonunda teslim edeceklerdir. Bu
ödevlerin hazırlanabilmesi için öğrencilerin SPICE benzetim programını kullanmayı bilmeleri veya öğrenmeleri
gerekmektedir.
Seminer:
Her öğrenciye güncel çalışmalardan, genellikle yeni
yayınlanmış makale ve bildirilerden seçilecek seminer konuları verilecek, öğrenci
aldığı konuyu ilgili kaynaklardan yararlanarak ayrıntılı bir biçimde
araştıracak, elde ettiği bulguları bir rapor halinde hazırlayacak ve teslim
edecek, kendisine ayrılan gün ve saatte sınıfa anlatacaktır. Programı daha
sonra duyurulacak olan seminerler yarıyılın bitimine bir ay kala başlayacak ve
yarıyıl sonuna kadar sürecektir.
Yılsonu sınavı (projesi):
Yılsonu projesi olarak öğrencilere derste ele alınmış
güncel konularda bir devre tasarımı ve benzetimi projesi verilecektir.
Öğrenciler, yıliçi ödevlerindekine benzer biçimde, gereken tasarımları,
hesapları ve benzetimleri kendi başlarına yapacaklar, yapılan tasarımları,
hesapları, benzetimleri ve bunların yorumunu içeren ayrıntılı bir raporu
belirtilen sürenin sonunda teslim edeceklerdir.
Başarının belirlenmesi:
Yıliçi çalışmalarının ve yılsonu sınavının başarıya
katkısı:
Yıliçi sınavı (%15)
Seminer ödevi (%15)
Ödevler (%20)
________________________________
Toplam Yıliçi katkısı (%50)
Yılsonu sınavı projesi : (%50)